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Un instituto de investigación eslovaco ha desarrollado con éxito un sensor de presión piezoeléctrico basado en un sustrato de GaN indicado para condiciones extremas de alta temperatura y entornos químicamente agresivos, con un transistor de alta movilidad de...![Ref: TOIT20181018001 – Sistema inteligente para mantenimiento de zonas verdes](https://eenclm.com/wp-content/uploads/2015/12/jardines-verticales-1.jpg)