Ref: TOSK20190312001 – Instituto de investigación eslovaco que ha desarrollado un sensor de presión para condiciones extremas busca licenciatarios o inversores

Un instituto de investigación eslovaco ha desarrollado con éxito un sensor de presión piezoeléctrico basado en un sustrato de GaN indicado para condiciones extremas de alta temperatura y entornos químicamente agresivos, con un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) como elemento de detección. Este sensor de presión único se basa en el concepto de sistemas microelectromecánicos (MEMS) para medir la presión externa con un sistema semiconductor piezoeléctrico de AlGaN/GaN, capaz de operar bajo condiciones extremas de alta temperatura (hasta 700 ºC) y entornos químicamente agresivos. El sensor permite la miniaturización de dimensiones y el incremento de la calidad y resistencia de detección. El instituto busca socios con el fin de establecer acuerdos de licencia o financiación.

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