Un instituto de investigación eslovaco ha desarrollado con éxito un sensor de presión piezoeléctrico basado en un sustrato de GaN indicado para condiciones extremas de alta temperatura y entornos químicamente agresivos, con un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) como elemento de detección. Este sensor de presión único se basa en el concepto de sistemas microelectromecánicos (MEMS) para medir la presión externa con un sistema semiconductor piezoeléctrico de AlGaN/GaN, capaz de operar bajo condiciones extremas de alta temperatura (hasta 700 ºC) y entornos químicamente agresivos. El sensor permite la miniaturización de dimensiones y el incremento de la calidad y resistencia de detección. El instituto busca socios con el fin de establecer acuerdos de licencia o financiación.
Ref.TRGB20240822018.PYME británica que desarrolla terapias oncológicas para cánceres difíciles de tratar busca colaboraciones estratégicas en materia de investigación.
Cell membrane lipid phosphatidylserine (PS) is abnormally exposed on the surface of cancer cells, allowing tumour cells to evade the normal immune response. This SME is developing molecules that bind to PS as a targeting technology for delivery of drug conjugates...
Ago 28, 2024
